收藏本站
NTMFS4935N
TYPICAL CHARACTERISTICS
4500
4000
3500
3000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
11
10
9
8
7
QT
2500
6
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
5
4
3
2
1
0
0
Qgs
5
Qgd
10
15
20
25
30
35
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
40 45
50
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
10
10
5
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
130
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
120
110
100
90
80
70
I D = 29 A
1
0.1
0.01
0.01
0 ≤ V GS ≤ 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
0.1
1
10
10 ms
dc
100
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4936NCT3G MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL
NTMFS4937NT1G MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL
NTMFS4939NT3G MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8 FL
NTMFS4941NT3G MOSFET N-CH 30V 9A SO8 FL
NTMFS4943NT1G MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8 FL
NTMFS4945NT3G MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8 FL
NTMFS5830NLT1G MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
NTMFS5832NLT1G MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4935NT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4936N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, SO−8 FL
NTMFS4936NCT1G 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4936NCT3G 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4936NT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4936NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4937N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 70 A, Single N−Channel, SO−8 FL